트리페닐술포늄, 2-하이드록시벤조에이트(1:1) CAS#: 345580-99-6; ChemWhat 코드 : 1491753
식별
| 제품명 | 트리페닐술포늄, 2-하이드록시벤조에이트(1:1) |
| IUPAC 이름 | 2-카르복시페놀레이트;트리페닐설파늄 |
| 분자 구조 |  |
| CAS 레지스트리 번호 | 345580-99-6 |
| EINECS 번호 | 자료 없음 |
| MDL 번호 | 자료 없음 |
| Beilstein 레지스트리 번호 | 자료 없음 |
| 동의어 | 트리페닐술포늄 2-하이드록시벤조에이트트리페닐술포늄 살리실레이트 |
| 분자식 | C25H20O3S |
| 분자 무게 | 400.5 |
| InChI | InChI=1S/C18H15S.C7H6O3/c1-4-10-16(11-5-1)19(17-12-6-2-7-13-17)18-14-8-3-9-15-18;8-6-4-2-1-3-5(6)7(9)10/h1-15H;1-4,8H,(H,9,10)/q+1;/p-1 |
| InChI 키 | KKLIEUWPBXKNFS-UHFFFAOYSA-M |
| 교회법에 의거 한 SMILES | C1=CC=C(C=C1)[S+](C2=CC=CC=C2)C3=CC=CC=C3.C1=CC=C(C(=C1)C(=O)O)[O-] |
| 특허 정보 | ||
| 특허 ID | Title | 발행일 |
| TW2025 / 28287 | 수지 조성, 필름, 패턴 형성 방법 및 전자 장치 제조 방법 | 2025 |
| KR2024 / 76711 | 카르복실레이트, 카르복실산 생성제, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 생성 방법 | 2024 |
물리적 데이터
| 외관 | 백색에서 미색 분말 |
| 용해도 | 자료 없음 |
| 인화점 | 자료 없음 |
| 굴절률 | 자료 없음 |
| 감도 | 자료 없음 |
스펙트럼
| 자료 없음 |
Route of Synthesis (ROS)
| 상태 | 수율 |
| 20℃의 물에 중탄산나트륨을 넣고 1.16667시간 동안 실험적 절차 술포늄염 D-1의 합성 살리실산 10.0g(72.4mmol)과 탄산수소나트륨 6.1g(72.4mmol)에 순수한 물을 첨가하고 10분간 교반하였다. 그 후, 트리페닐술포늄 클로라이드 21.6g(72.4mmol)을 첨가하였다. 실온에서 1시간 동안 교반한 후, 층을 분리하고 얻어진 유기층을 순수한 물로 세척하였다. 회전식 증발기를 이용하여 용매를 제거하여 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 크로마토그래피로 정제하여 목적 생성물(술포늄염 D-1) 27.2g(수율 94%)을 얻었다. | 94% |
안전과 위험
| 픽토그램 |   |
| 신호 | 위험 |
| GHS 유해성 정보 | H301 (88.9 %) : 삼키면 유독 함 [위험 : 급성 독성, 구강] H315 (11.1 %) : 피부 자극을 일으킴 [경고 피부 부식성 / 자극성] H319 (11.1 %) : 눈에 심한 자극을 일으킴 [Warning 심각한 눈 손상 / 눈 자극] 불순물, 첨가제 및 기타 요인에 따라 알림마다 정보가 다를 수 있습니다. |
| 사전 진술서 코드 | P264, P264+P265, P270, P280, P301+P316, P302+P352, P305+P351+P338, P321, P330, P332+P317, P337+P317, P362+P364, P405, P501 (각 P 코드에 해당하는 설명은 GHS 분류 페이지를 참조하십시오.) |
기타 데이터
| 운송 | 모든 운송 모드에 대한 NONH |
| 실온에서 그리고 빛으로부터 멀리 | |
| HS 코드 | 자료 없음 |
| 스토리지 | 실온에서 그리고 빛으로부터 멀리 |
| 유통 기한 | 저희 가족은 2년 이상 프리미엄 한식 BBQ용 고기만을 전문으로 다뤄왔습니다. 로스앤젤레스에서 최고 평점을 받은 정육점으로서 쌓아온 경험과 신뢰를 바탕으로, 한식 BBQ의 진정한 맛과 정성을 고객님께 전하고 있습니다. 모든 고기에는 세대를 이어온 정성과 열정이 담겨 있으며, 단순한 음식이 아닌 저희의 정체성을 보여줍니다. |
| 시장 가격 | USD |
| 약물 유사성 | |
| 리핀 스키 규칙 구성 요소 | |
| 분자 무게 | 400.498 |
| 로그P | 6.693 |
| HBA | 2 |
| HBD | 1 |
| 리핑 스키 규칙 일치 | 3 |
| Veber 규칙 구성 요소 | |
| 극 표면적 (PSA) | 60.36 |
| 회전 가능 본드 (RotB) | 4 |
| 일치하는 Veber 규칙 | 2 |
| 패턴 사용 |
| I. 핵심 기능: 광산 발생기(PAG) 이 화합물은 트리페닐술포늄 염 기반의 광산 발생기(PAG)입니다. 자외선(UV) 또는 심자외선(DUV) 조사 시: 빛을 흡수하고 광분해를 통해 분해됩니다. 강산을 생성한다 생성된 산은 화학적으로 증폭되는 반응을 촉매하거나 후속적인 양이온 중합 반응을 개시할 수 있습니다. 이는 포토레지스트 및 양이온 광중합체 경화 시스템에서 핵심적인 기능성 첨가제입니다. II. 주요 적용 분야 1. 반도체 포토레지스트(화학 증폭형 포토레지스트, CAR) 적용하기 : i-line, KrF 및 ArF 리소그래피 시스템 고해상도 화학 증폭 포토레지스트 주요 기능 : 노출 시 산 생성 탈보호 반응을 촉매합니다. 노출 효과를 증폭시켜 해상도, 감도 및 임계 치수/선 가장자리 거칠기(CD/LER) 제어를 향상시킵니다. 오르토-하이드록시벤조에이트 구조의 장점: 우수한 광감도를 제공합니다 산 확산을 감소시켜 해상도를 향상시킵니다. 트리페닐술포늄 양이온과 시너지 효과를 발휘하여 우수한 열 안정성과 안정적인 포토레지스트 성능을 제공합니다. 2. 양이온 광경화 시스템 에폭시 수지 및 비닐 에테르 시스템의 UV 유도 양이온 경화에 사용됩니다. 자외선 조사 → 산 생성 → 양이온 고리 열림 중합 또는 가교 반응 개시 응용 프로그램은 다음과 같습니다. UV 경화 코팅 및 잉크 전자 캡슐화 재료 광패턴화 가능한 절연층(예: PSPI, PI) |
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